2SJ661-DL-1E

产品描述

MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES

内部编号

生产厂商

数量:863

最小起订量:1
美国加州
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数量:1600

最小起订金额:￥￦600
新加坡
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规格书
FET特点	Logic Level Gate, 4V Drive
封装	Tape & Reel (TR)
安装类型	Surface Mount
封装/外壳	SC-83
供应商设备封装	TO-263-2
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	39 mOhm @ 19A, 10V
FET型	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	1.65W
标准包装	800
漏极至源极电压（Vdss）	60V
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	38A (Ta)
输入电容（Ciss ） @ VDS	4360pF @ 20V
闸电荷（Qg ） @ VGS	80nC @ 10V
工厂包装数量	800
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	- 60 V
晶体管极性	P-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage	+/- 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	- 2.6 V
下降时间	195 ns
安装风格	SMD/SMT
品牌	ON Semiconductor
通道数	1 Channel
配置	1 P-Channel
最高工作温度	+ 150 C
晶体管类型	1 P-Channel
Id - Continuous Drain Current	- 38 A
Rds On - Drain-Source Resistance	29.5 mOhms
RoHS	RoHS Compliant
典型关闭延迟时间	295 ns
通道模式	Enhancement
系列	2SJ661
最低工作温度	- 55 C
Pd - Power Dissipation	65 W
上升时间	285 ns
技术	Si

型号	厂家	产品描述
2SJ661-DL-E	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 4V DRIVE SMP-FD

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